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台积电已正式宣布6nm工艺!7nm变体还具有极紫外光刻
添加时间:2019-08-06

近年来,业界已经实施了英特尔在新工艺上一直缓慢,10纳米工艺的批量生产一直缓慢。主要原因是技术指标要求很高,很难投入生产。
与此同时,台积电和三星取得了很大进展。除了技术进步,他们采用了更灵活的策略,降低了新技术的难度,并在每次略微改进时创建了新版本。
例如,TSMC 16 nm是一个重要的节点,12 nm基于它进行更新和优化。
除了14纳米,10纳米,7纳米和5纳米更新之外,三星更加混乱。有几种迁移版本,如11nm,8nm,6nm和4nm。
最近,台积电宣布5nm EUV工艺已开始试生产。与7纳米相比,中心区域减少了45%,性能提高了15%。与此同时,三星的5纳米EUV工艺旨在将能耗降低20%,相比之下,7纳米10%。
目前,台积电已正式宣布6nm工艺(N6)。基于现有的7nm(N7)工艺,这已得到显着改善。据说它具有很强的竞争力和盈利能力,可以加速产品开发,批量生产和市场速度。
7 nm TSMC工艺有两种版本。第一代使用传统的DUV光刻技术。第二代是参与EUV EUV光刻的第一代。它已进入试验阶段。将使用下一代Apple A和Huawei Unicorn。
新的6纳米工艺也采用EUV EUV光刻技术。与原始的7nm工艺相比,这旨在将晶体管密度提高18%。这使迁移更容易并降低了成本。
预计6纳米TSMC将于2020年第一季度成为原型,适用于中高端移动芯片,消费类应用,人工智能,网络,5G,高性能计算。
英特尔:14nm我一遍又一遍地改进它,只有14nm +,14m ++,台积电,三星,你太过分了;